特許

J-GLOBAL ID：200903082283960511

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 原田 裕次 ,  畠山 潤 ,  渡辺 淳 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266788
公開番号（公開出願番号）：特開2002-155119
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。R1、R2はそれぞれ結合して環を形成してもよく、その場合は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又は-O-、-S-もしくは-NH-で示される結合を形成する。jは2〜4の整数である。kは0又は1である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れているうえに、主鎖への環状アルキル基の導入によりプラズマエッチング耐性が向上し、それと同時に優れた解像性を有することがわかった。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。R1、R2はそれぞれ結合して環を形成してもよく、その場合は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又は-O-、-S-もしくは-NH-で示される結合を形成する。jは2〜4の整数である。kは0又は1である。)

IPC (5件)：

C08F232/00 ,  C08F220/10 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08F232/00 ,  C08F220/10 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (43件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AK32Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AL16Q ,  4J100AL71Q ,  4J100AM45Q ,  4J100AR09P ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR32P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA12Q ,  4J100BA28P ,  4J100BA28Q ,  4J100BA31Q ,  4J100BA40Q ,  4J100BA51P ,  4J100BB07P ,  4J100BB12P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC53Q ,  4J100BC59Q ,  4J100CA04 ,  4J100JA38