酸化膜形成装置及び磁気記録再生装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平木祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379545
公開番号（公開出願番号）：特開2003-183838
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年07月03日
要約：

【要約】【課題】磁気抵抗センサにおいて、主要素であるnm酸化膜の成膜、管理をする酸化膜形成装置を提供する。【解決手段】 1つ以上の金属薄膜成膜室と1つ以上の金属薄膜酸化室を有する成膜装置において、赤外光源、試料支持台、分光器、赤外光検出器、赤外光スペクトルを処理する手段、及び前記金属薄膜酸化室から前記試料支持台に試料を真空搬送する機構、前記金属薄膜成膜室で成膜した金属薄膜を前記金属薄膜酸化室で酸化した試料を、前記試料支持台において、該試料表面に対して赤外光を0.5 ゚から20 ゚の角度範囲で入射する手段、及び試料からの赤外光の反射率を測定する手段を有し、その反射率から金属薄膜上の酸化膜の膜厚及び/又は酸化膜の結合状態を管理することを特徴とする金属酸化膜形成装置。

請求項（抜粋）：

1つ以上の金属薄膜成膜室と1つ以上の金属薄膜酸化室を有する成膜装置において、赤外光源、試料支持台、分光器、赤外光検出器、赤外光スペクトルを処理する手段、及び前記金属薄膜酸化室から前記試料支持台に試料を真空搬送する機構、前記金属薄膜成膜室で成膜した金属薄膜を前記金属薄膜酸化室で酸化した試料を、前記試料支持台において、該試料表面に対して赤外光を0.5 ゚から20 ゚の角度範囲で入射する手段、及び試料からの赤外光の反射率を測定する手段を有し、その反射率から金属薄膜上の酸化膜の膜厚及び/又は酸化膜の結合状態を管理することを特徴とする金属酸化膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 16/52 , C23C 14/54 , G11B 5/39

FI (3件)：

C23C 16/52 , C23C 14/54 E , G11B 5/39

Fターム (25件)：

4K029BA03 , 4K029BA06 , 4K029BA09 , 4K029BA12 , 4K029BA23 , 4K029BA24 , 4K029BA25 , 4K029BA26 , 4K029BD11 , 4K029EA00 , 4K029EA01 , 4K029GA01 , 4K029KA01 , 4K029KA09 , 4K030BA02 , 4K030BA05 , 4K030BA07 , 4K030BA14 , 4K030DA09 , 4K030GA12 , 4K030JA01 , 4K030KA39 , 4K030LA20 , 5D034BA03 , 5D034DA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

多層膜形成装置及び多層膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-094338 出願人：株式会社日立製作所
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-120758 出願人：松下電器産業株式会社
強磁性トンネル接合素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-244755 出願人：株式会社日立製作所

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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