半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183555
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029548
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【構成】MOSトランジスタの特性の制御しきい値電圧が変化する半導体装置の製造方法において、基板上にフィールド絶縁膜を形成する工程、前記基板の前記MOSトランジスタを形成する領域上に第1絶縁膜を形成する工程、前記フィールド絶縁膜及び前記第1絶縁膜上に導体層を形成する工程、前記導体層をフォト及びエッチング法により所定形にする工程、前記導体層、及び前記基板の前記MOSトランジスタを形成する以外の領域上に第2絶縁膜を形成する。【効果】絶縁耐圧がよく欠陥密度の少ない前記第1絶縁膜を形成し、フローティングゲート上の絶縁膜と半導体記憶素子の駆動回路のトランジスタのゲート絶縁膜を同時に形成することにより製造工程数を削減できる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートとコントロールゲートとを有するMOS型トランジスタ構造をなし、前記フローティングゲートへの電荷の注入状態の如何によって、前記コントロールゲートの前記MOSトランジスタの特性の制御しきい値電圧が変化する半導体装置の製造方法において、基板上にフィールド絶縁膜を形成する工程、前記基板の前記MOSトランジスタを形成する領域上に第1絶縁膜を形成する工程、前記フィールド絶縁膜及び前記第1絶縁膜上に導体層を形成する工程、前記導体層をフォト及びエッチング法により所定形にする工程、前記導体層、及び前記半導体基板の前記MOSトランジスタを形成する以外の領域上に第2絶縁膜を形成する工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-194967
特開昭63-047939
特開平1-135073

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