半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-330338
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167078
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 EPROMやフラッシュEEPROMのホットキャリア発生効率を改善して、データの書き込み速度を高速化した半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】第1導電型の半導体基板1上に第1ゲート絶縁膜5、第1ゲート電極6、第2ゲート絶縁膜7および第2ゲート電極8を順次積み重ねたゲート領域を有し、該第1導電型の半導体基板1内に該ゲート領域を挟むように相互に離間した第2導電型のソース拡散層3およびドレイン拡散層4を有し、該ソースおよびドレイン拡散層間の少なくとも一部または全域にドレイン側からソース側にかけて濃度が低くなるような濃度勾配を持つ第1導電型の拡散層2を有することを特徴とする半導体装置およびその製造方法により上記目的は達成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に第1ゲート絶縁膜、第1ゲート電極、第2ゲート絶縁膜および第2ゲート電極を順次積み重ねたゲート領域を有し、該第1導電型の半導体基板内に該ゲート領域を挟むように相互に離間した第2導電型のソース拡散層およびドレイン拡散層を有し、該ソースおよびドレイン拡散層間の少なくとも一部または全域にドレイン側からソース側にかけて濃度が低くなるような濃度勾配を持つ第1導電型の拡散層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開昭53-097381
特開平3-099474
特開平2-246281

全件表示

前のページに戻る