特許

J-GLOBAL ID：200903082291966588

半導体構造物およびその製造方法

発明者： 辻村 歩 ,  横川 俊哉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019656
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224072
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】 Si系基板上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる際のクラック発生を抑制し、結晶品質を向上させる。【解決手段】 Si基板上にスパッタ法でNi層を形成し、アンモニア気流中500〜900°Cで熱処理することによりNi3N層を形成する。これをテンプレート層としてAlN層、GaN層を順次エピタキシャル成長させる。

請求項（抜粋）：

Si系基板上に形成された遷移金属元素X(XはV、Cr、Co、Ni、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Wの群から選ばれる元素)を含む層と、前記遷移金属元素Xを含む層の上に形成されたIII族元素およびNを含む半導体層とを備えていることを特徴とする半導体構造物。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/26 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/26 ,  H01L 29/80 H

Fターム (29件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045HA06 ,  5F045HA24 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GR01 ,  5F102GR06 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21