特許
J-GLOBAL ID:200903082297189257

液晶化合物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 友松 英爾 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-156521
公開番号(公開出願番号):特開2001-335558
出願日: 2000年05月26日
公開日(公表日): 2001年12月04日
要約:
【要約】【課題】 反強誘電性相または三安定状態以上の応答特性を示す出現温度が高く、かつ広い温度範囲で速い応答速度を示す液晶化合物、その製造方法、前記液晶化合物のための中間体および前記液晶化合物を含む液晶素子の提供。【解決手段】 反強誘電性相または三安定状態以上の応答特性を示す相からSmA相への転移温度が、昇温過程で観察して90°C以上であり、かつ前記転移温度よりも少なくとも40°C以上低い温度における応答速度τが5.0μsec以下であることを特徴とする液晶化合物。
請求項(抜粋):
反強誘電性相または三安定状態以上の応答特性を示す相からSmA相への転移温度が、昇温過程で観察して90°C以上であり、かつ前記転移温度よりも少なくとも40°C以上低い温度における応答速度τが5.0μsec以下であることを特徴とする液晶化合物。
IPC (5件):
C07C327/32 ,  C07C323/62 ,  C09K 19/02 ,  C09K 19/28 ,  G02F 1/13 500
FI (5件):
C07C327/32 ,  C07C323/62 ,  C09K 19/02 ,  C09K 19/28 ,  G02F 1/13 500
Fターム (12件):
4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB64 ,  4H006AC60 ,  4H006TA04 ,  4H006TB61 ,  4H027BA07 ,  4H027BD02 ,  4H027BD08 ,  4H027BE02 ,  4H027CE08

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