特許
J-GLOBAL ID:200903082297543344

化学増幅形レジスト用のベース樹脂およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 八田 幹雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-184850
公開番号(公開出願番号):特開平9-197674
出願日: 1996年07月15日
公開日(公表日): 1997年07月31日
要約:
【要約】【課題】 化学増幅形レジスト用のベース樹脂およびその製造方法を提供する。【解決手段】 感光度が大きく、露光前後の溶解度の差が大きい本発明の樹脂を主成分とする化学増幅形レジストは高解像度のパターンを形成しうる。従って、本発明の樹脂は高集積の半導体チップを製造するためのリソグラフィ工程に利用するに適する。
請求項(抜粋):
下記式I【化1】(ここで、R1 はt-ブチル基またはテトラヒドロピラニル基であり、R2 は水素原子またはメチル基であり、m/m+n=0.1〜0.9である。)で示される重量平均分子量が5000ないし200000であることを特徴とする化学増幅形レジスト用ベース樹脂。
IPC (3件):
G03F 7/039 501 ,  C08F 4/04 MEG ,  C08F 12/08 MJU
FI (3件):
G03F 7/039 501 ,  C08F 4/04 MEG ,  C08F 12/08 MJU
引用特許:
審査官引用 (3件)

前のページに戻る