特許

J-GLOBAL ID：200903082297982780

半導体装置およびその製造方法

発明者： 新井 雄史 ,  片寄 照雄
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-056308
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246429
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 高密度な配線が形成され、かつ硬化ポリフェニレン樹脂絶縁材料の良好な電気特性により、信号速度及び信号品質の向上した半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁材としてポリフェニレンエーテル樹脂を用いたことを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

誘電率が3.5以下である樹脂からなる絶縁材を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/14 ,  C08L 71/12 LQL

FI (2件)：

H01L 23/14 R ,  C08L 71/12 LQL