特許

J-GLOBAL ID：200903082298872244

非晶質シリコンの結晶化方法および薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ジョナサン ウェストウォーター ,  ダラム パル ゴサイン ,  碓井 節夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-242234
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083766
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 低温プロセスで結晶粒の大きい結晶性シリコン層の形成を図ることで、安価なガラス基板の採用を可能とし、TFTの性能の向上を図る。【構成】 第1工程では、基体11上に、不純物を含む第1非晶質シリコン層12と、それに接合するもので不純物を含まない第2非晶質シリコン層13とを形成した後、第1非晶質シリコン層12に対してレーザ光L1を選択的に照射して結晶性シリコン層14に改質する。そして第2工程では、結晶性シリコン層14を選択的に加熱することで、結晶性シリコン層14と第2非晶質シリコン層13との界面から第2非晶質シリコン層13に結晶を成長させて結晶化する。上記選択的な加熱はレーザ光L2の照射によって行う。また、TFTのチャネル領域を形成する結晶性シリコン層の形成に上記製造方法を用いる。

請求項（抜粋）：

基体上に、不純物を含む第1非晶質シリコン層と、該第1非晶質シリコン層に接合するもので不純物を含まない第2非晶質シリコン層とを形成した後、前記第1非晶質シリコン層に対してレーザ光を選択的に照射して該第1非晶質シリコン層を結晶性シリコン層に改質する第1工程と、前記結晶性シリコン層を選択的に加熱することで、該結晶性シリコン層と前記第2非晶質シリコン層との界面から該第2非晶質シリコン層に向けて結晶を成長させて結晶化する第2工程とからなることを特徴とする非晶質シリコンの結晶化方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336