特許

J-GLOBAL ID：200903082302538397

半導体レーザ

発明者： 成井 啓修
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035151
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235467
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 共振器端面を劈開によらずに構成して結晶性を良好に保ち、高信頼性及び高出力を得て、OEICの構成や、短共振器化による低しきい値電流化が可能な半導体レーザを提供する。【構成】 化合物半導体基体1の{100}結晶面より成る主面1S上に、〈01-1〉結晶軸方向に延長するリッジ2が形成され、リッジ2の側面2A及び2Bと{100}結晶面即ち主面1Sとの挟む角度θA 及びθB が54.7°以下とされ、このリッジ2の上に少なくとも第1のクラッド層4、活性層5、第2のクラッド層6が形成され、リッジ2の縁部2C及び2Dから延びる{110}結晶面より成る端面8を共振器端面として半導体レーザ10を構成する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基体の{100}結晶面上に、〈01-1〉結晶軸方向に延長するリッジが形成され、上記リッジの側面と上記{100}結晶面との挟む角度が54.7°以下とされ、上記リッジの上に少なくとも第1のクラッド層、活性層、第2のクラッド層が形成され、上記リッジの縁部から延びる{110}結晶面より成る端面を共振器端面とすることを特徴とする半導体レーザ。