特許
J-GLOBAL ID:200903082307984301

マイクロスイッチング素子およびマイクロスイッチング素子製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 吉田 稔 ,  田中 達也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-104378
公開番号(公開出願番号):特開2005-293918
出願日: 2004年03月31日
公開日(公表日): 2005年10月20日
要約:
【課題】 閉状態における挿入損失の低減を図るのに適したマイクロスイッチング素子、および、このようなマイクロスイッチング素子を製造するための方法を、提供すること。【解決手段】 本発明のマイクロスイッチング素子X1は、ベース基板と、当該ベース基板に接合しているアンカー部111およびアンカー部111から延出してベース基板に対向する延出部112を有する可動部110と、延出部112におけるベース基板とは反対の側に設けられた可動コンタクト部131と、可動コンタクト部131に対向する接触部を各々が有し且つベース基板に対して各々が固定されている一対の固定コンタクト電極132と、を備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ベース基板と、 前記ベース基板に接合しているアンカー部、および、当該アンカー部から延出して前記ベース基板に対向する延出部、を有する可動部と、 前記延出部における前記ベース基板とは反対の側に設けられた可動コンタクト部と、 前記可動コンタクト部に対向する第1接触部を有し且つ前記ベース基板に対して固定されている第1固定コンタクト電極と、 前記可動コンタクト部に対向する第2接触部を有し且つ前記ベース基板に対して固定されている第2固定コンタクト電極と、を備えるマイクロスイッチング素子。
IPC (4件):
H01H59/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H49/00
FI (4件):
H01H59/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H49/00 L
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
  • マイクロスイッチ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-291698   出願人:三星電子株式会社
  • マイクロリレー
    公報種別:公表公報   出願番号:特願2001-557065   出願人:インフィネオンテクノロジーズアクチェンゲゼルシャフト
  • マイクロリレー
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-042033   出願人:富士通コンポーネント株式会社
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