特許

J-GLOBAL ID：200903082315849324

半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法

発明者： 長谷川 明広 ,  彦坂 幸信 ,  橋本 浩一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017455
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213778
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 高密度プラズマによりウェハを処理する際に、ブロッキングキャパシタンスの容量値を任意に設定し、ウェハに十分高い電圧を印加できる半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法を提供する。【解決手段】 ウェハに接触するバイアス電極5bと、このバイアス電極5bの周囲に埋め込まれた2つの静電電極5cとを有する静電チャック5を使用し、交流電源12からマッチング回路11及び容量可変型コンデンサ10を介してバイアス電極5bに交流電圧を印加する。

請求項（抜粋）：

ウェハが載置される絶縁性基体と該基体の表面に設けられて前記ウェハに接触するバイアス電極と前記基体の表面下に埋め込まれた静電電極とにより構成された静電チャックと、前記バイアス電極に交流電圧を印加する交流電源と、この交流電源と前記バイアス電極との間に接続されたコンデンサと、前記静電電極に直流電圧を印加する直流電源とを有することを特徴とする半導体ウェハ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  H02N 13/00 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D ,  H02N 13/00 D ,  H05H 1/46 A