特許

J-GLOBAL ID：200903082315971286

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 福永 敏明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029602
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233874
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザにおいて、高出力発振下における信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-Ga1-z1Alz1Asクラッド層2、n-Ga1-z2Alz2As光導波層3、Inx3Ga1-x3As量子井戸活性層4、p-Ga1-z2Alz2As光導波層5、p-Ga1-z1Alz1Asクラッド層6、p-GaAsコンタクト層7を順次形成する。素子端面となる領域に半導体層上方からBイオンを注入してアニール処理することにより、活性層4の素子端面領域にBイオンを拡散せしめて、活性層4の無秩序化を行い端面に窓構造を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくともp型またはn型の一方の導電性を有する第一クラッド層、量子井戸活性層、p型またはn型の他方の導電性を有する第二クラッド層を含む複数の半導体層が積層されてなるIII-V族の半導体レーザ装置であって、前記量子井戸活性層の共振器端面近傍領域に、Bイオンが拡散せしめられて無秩序化されたBイオン拡散領域を備えていることを特徴とする半導体レーザ装置。