特許
J-GLOBAL ID：200903082317157551
半導体レーザ装置の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐野 静夫
, 山田 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-282248
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095931
出願日： 2005年09月28日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】発振波長が500nm以下の半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ装置の耐久性を向上させる。【解決手段】半導体レーザ装置20を作製する際、ステム21にキャップ26を取り付ける前に、パッケージ部28の内側となるキャップ26の内面、ステム21、ヒートシンク22および半導体レーザ素子29を乾燥空気雰囲気中で紫外線で照射し、加熱する。次に、乾燥空気雰囲気中でステム21にキャップ26を取り付け、パッケージ部28の内部に半導体レーザ素子29を乾燥空気とともに封入する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
密封槽内に乾燥空気を導入する乾燥空気導入工程と、前記乾燥空気を導入した前記密封槽内で、半導体レーザ素子を設けたステムおよびキャップの内面に紫外線を照射する紫外線照射工程と、前記乾燥空気を導入した前記密封槽内で、紫外線を内面に照射した前記キャップによって紫外線を照射した前記半導体レーザ素子を前記乾燥空気とともに封止する封止工程とを有する半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F173MB05
, 5F173MC04
, 5F173ME03
, 5F173ME22
