ブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-282251
公開番号（公開出願番号）：特開平10-124403
出願日： 1996年10月24日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】ブロック消去型フラッシュメモリにおいて、メモリブロックのデータ書込み中に、書込み作業が中断しても、データの消失がないようにする。【解決手段】ブロック消去型フラッシュメモリ1での、例えば、4個のメモリブロック2A〜2Dのうち、3個のメモリブロック2A〜2Cをデータ書込用メモリブロックとし、残りのメモリブロック2Dをデータ退避メモリブロックとする。いま、所望のデータ書込用メモリブロック2Aのデータ書換えを行なう場合には、まず、データ書込みの該当メモリブロック2Aの既存データを全てデータ退避メモリブロック2Dに書き込み、しかる後、該当メモリブロック2Aの消去を行ない、この消去された該当メモリブロック2Aに新たなデータの書込みを行なう。このようにして、データ書込用メモリブロックのデータは、必ず、このデータ書込用メモリブロックかデータ退避メモリブロックのいずれかに存在する。

請求項（抜粋）：

消去単位とするメモリブロックを複数個有するブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法において、該メモリブロックの少なくとも1個を退避メモリブロックとして割り当てて、該退避メモリブロック以外のメモリブロックをデータ書込用のメモリブロックとし、所望の該データ書込用のメモリブロックに、これを書込該当メモリブロックとして、新たなデータを書き込むに際し、該書込該当メモリブロックに既に書き込まれている既存データを全て該退避メモリブロックに書き込んで保存し、しかる後、該書込該当メモリブロックでの消去と該新たなデータの書込みとを行なうことを特徴とするブロック消去型フラッシュメモリの書込み方法。

IPC (2件)：

G06F 12/16 340 , G11C 16/02

FI (2件)：

G06F 12/16 340 M , G11C 17/00 601 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

メモリ書替え装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-072829 出願人：富士通株式会社

前のページに戻る