特許
J-GLOBAL ID：200903082323113965
モノリシック受発光素子およびそれを用いた光ピックアップ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044397
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242500
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 発光部でのレーザ発振特性と、受光部での光-電流変換効率とをともに良好に確保できるモノリシック受発光素子を提供すること。【解決手段】 高抵抗の半導体基板101上の少なくとも2つの領域に、発光部100Aと受光部100Bを形成する。発光部100Aは垂直共振器型面発光レーザ100A1とPIN型フォトダイオード100A2からなり、100A2で100A1の出射光量をモニタする。受光部100Bは共振器構造を持つPIN型フォトダイオードからなり、その共振器長は室温において100A1の出射光の波長に対して共振するように構成されている。また、100A2の部分の下部ミラーはこの部分と半導体基板101の部分に穴部120を形成することにより除去されている。
請求項（抜粋）：
高抵抗の半導体基板上の少なくとも2つの領域に、第1導電型半導体層と、第2導電型半導体層とがそれぞれ複数積層して形成され、一方の領域には、前記第1、第2導電型半導体層にて第1のPIN型フォトダイオードと、垂直共振器型面発光レーザがこの順に積層されて形成され、他方の領域には、前記第1、第2導電型半導体層にて共振器構造を持つ第2のPIN型フォトダイオードが形成され、前記第1のPIN型フォトダイオードと前記第2のPIN型フォトダイオードが同一の半導体層で形成されることを特徴とするモノリシック受発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/12 B
, G11B 7/125 A
