特許
J-GLOBAL ID：200903082325130654
GaN系半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327907
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163402
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 GaN系発光素子にブラッグ反射層を設け、転位線による発光素子の特性劣化を改善すると共にブラッグ反射層を保護し得る構造を提供すること。【解決手段】 ベース基板1を最下層とし、その上にGaN系結晶からなる層を順次成長させ、発光層S3を含む積層体Sを形成し電極X、Yを形成してGaN系発光素子とする。このとき、積層体のいずれかの層を転位線制御層(図では層S1)とする。転位線制御層は、マスク層Mを設けた面に成長させた層であって、非マスク領域11を成長の出発面とし、マスク層上面を覆うまで成長してなる。積層体S中において、発光層S3および転位線制御層S1よりも下層側に、ブラッグ反射層B1を設け、マスク層Mによって、上層側を低転位化しながら同時に下層側のブラッグ反射層B1を保護する。
請求項（抜粋）：
GaN系結晶がC軸を厚み方向として成長可能なベース基板を最下層とし、その上に、GaN系結晶からなり発光層を含む複数の層が順次成長し積み重なって積層体が形成され、これにp型電極、n型電極が設けられた構成を有する半導体発光素子であって、積層体の最上面とベース基板上面とを除く、いずれかの層上面には、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層が設けられ、マスク層の材料はそれ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料であり、マスク層を覆う層は、非マスク領域を成長の出発面とし、マスク層上面を覆うまで結晶成長してなる層であり、この層を転位線制御層と呼ぶとし、積層体中において、発光層および転位線制御層よりも下層側には、ブラッグ反射層が設けられていることを特徴とするGaN系半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
審査官引用 (1件)
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半導体レ-ザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-178401
出願人：株式会社日立製作所
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