特許

J-GLOBAL ID：200903082325658624

多層配線の製造方法

発明者： 宮田 幸児
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339279
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156170
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 2層マスクを用いたデュアルダマシン構造の製造方法で、配線溝を形成するエッチングの際に、そのときのエッチングマスクの後退を抑えて、エッチング加工精度の向上を図る。【解決手段】 第1のマスク15とそれよりも上層に配置される第2のマスク16とを用いて、配線が形成される配線溝22と、その配線溝22に形成される配線と該配線よりも下層の配線とに接続するプラグが形成される接続孔21とを第1、第2の層間絶縁膜12、14に形成する多層配線の製造方法において、第2のマスク16に形成された開口部17の側壁に、この第2のマスク16よりもエッチング耐性の高い材料からなるサイドウォール19を形成する多層配線の製造方法である。

請求項（抜粋）：

第1のマスクと該第1のマスクよりも上層に配置される第2のマスクとを用いて、配線が形成される配線溝と、該配線溝に形成される配線と該配線よりも下層の配線とを接続するプラグが形成される接続孔とを層間絶縁膜に形成する多層配線の製造方法において、前記第2のマスクに形成された開口部の側壁に、前記第2のマスクよりもエッチング耐性の高い材料からなるサイドウォールを形成することを特徴とする多層配線の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 A

Fターム (28件)：

4M104AA01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104HH14 ,  5F033MM02 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX03 ,  5F033XX24