特許
J-GLOBAL ID：200903082328377014
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079295
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243260
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 新規な動作原理に基づく、高速動作が可能でしかもトランスコンダクタンスが大きいバイポーラトランジスタ型の半導体装置を実現する。【構成】 チャネル層としてのノンドープGaAs層2上に、n型AlGaAs層から成るエミッタ層3、p型AlGaAs層から成るベース層4及びn型AlGaAs層から成るコレクタ層5を順次接して設ける。エミッタ層3及びコレクタ層5とのヘテロ界面の近傍のノンドープGaAs層2には二次元電子ガスが形成され、ベース層4とのヘテロ界面の近傍のノンドープGaAs層2には二次元正孔ガスが形成される。ベース電極8に所定のバイアス電圧を印加して、エミッタ層3、ベース層4及びコレクタ層5とのヘテロ界面の近傍に形成されたチャネルを通してエミッタ層3からコレクタ層5に電子を移動させる。
請求項（抜粋）：
電子親和力φ<SB>1 </SB>及びエネルギーギャップE<SB>g1</SB>を有するノンドープの第一の半導体層から成るチャネル層と、上記チャネル層上に設けられた、φ<SB>2 </SB><φ<SB>1 </SB>及びφ<SB>2 </SB>+E<SB>g2</SB>>φ<SB>1 </SB>+E<SB>g1</SB>の両関係式を満足する電子親和力φ<SB>2 </SB>及びエネルギーギャップE<SB>g2</SB>を有する第一導電型の第二の半導体層から成るエミッタ層と、上記チャネル層上に上記エミッタ層に接して設けられた、φ<SB>3 </SB><φ<SB>1 </SB>及びφ<SB>3</SB>+E<SB>g3</SB>>φ<SB>1 </SB>+E<SB>g1</SB>の両関係式を満足する電子親和力φ<SB>3 </SB>及びエネルギーギャップE<SB>g3</SB>を有する第二導電型の第三の半導体層から成るベース層と、上記チャネル層上に上記ベース層に接して設けられた、φ<SB>4 </SB><φ<SB>1 </SB>及びφ<SB>4 </SB>+E<SB>g4</SB>>φ<SB>1 </SB>+E<SB>g1</SB>の両関係式を満足する電子親和力φ<SB>4 </SB>及びエネルギーギャップE<SB>g4</SB>を有する第一導電型の第四の半導体層から成るコレクタ層とを有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
