特許
J-GLOBAL ID：200903082328474613
分布帰還形半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066960
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261834
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 レーザ発振の閾電流値を一定とする形状であって、かつ壊れにくい回折格子が形成された分布帰還形分布帰還形半導体レーザを提供すること。【解決手段】 基板12上に、下部クラッド層13と、活性層14と、上部クラッド層15と、コンタクト層16と、電流通路を成すストライプ溝19を有する絶縁層17と、電極層18とを順次積層し、電極層18から上部クラッド層15にわたって断面が台形状である複数の凹部20,20,...をそれぞれ一定間隔あけてストライプ溝方向に並設した分布帰還形半導体レーザであって、凹部20,20,...の底面部でのストライプ溝方向幅の長さに対して、隣合う凹20,20,...部の間に位置する凸部21,21,...の底面部でのストライプ溝方向幅の長さの割合が0.7以上であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1のクラッド層と、活性層と、第2のクラッド層と、コンタクト層と、電流通路を成すストライプ溝を有する電流ストップ層と、電極層とを順次積層し、前記電極層から前記第2クラッド層にわたって断面が台形状である複数の凹部をそれぞれ一定間隔あけて前記ストライプ溝方向に並設した分布帰還形半導体レーザであって、前記凹部を成す第2クラッド層における凹部部分の底面部でのストライプ溝方向幅の長さに対する隣合う前記凹部の間に位置する凸部を成す第2クラッド層における凸部部分の底面部でのストライプ溝方向幅の長さの割合が0.7以上であることを特徴とする分布帰還形半導体レーザ。
引用特許：
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