特許
J-GLOBAL ID:200903082333840520
積層セラミックコンデンサの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
竹下 和夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-249279
公開番号(公開出願番号):特開2001-076956
出願日: 1999年09月02日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】 内部電極を価格的に安価な卑金属で形成しても、積層チップ素体の焼成に伴う誘電体層と内部電極との熱収縮差や熱膨張差による応力でコンデンサ主要部が全体的に大きく収縮するのを防ぎ、保護外装部の境界を起点とするクラックが発生するのを防ぎ、特に、誘電体層の厚みが薄くて多層積みのものであっても、クラックの発生を防いで構造欠陥のない多層高容量のものに製造する。【請求項1】 コンデンサ主要部C1,C2を形成する誘電体層10,内部電極11の層間に、保護外装部12,13を形成する誘電体層と同等厚みの誘電体層14を介在させてコンデンサ主要部C1,C2を複数層毎に区分け、それを積層チップ素体Tとして焼成する。
請求項(抜粋):
所定厚みの誘電体層を内部電極と複数交互に積層させてコンデンサ主要部を形成すると共に、そのコンデンサ主要部の誘電体層よりも厚みの厚い誘電体層を最外層に積層させて保護外装部を形成し、これを積層チップ素体として焼成する積層セラミックコンデンサの製造方法において、コンデンサ主要部を形成する誘電体層,内部電極の層間に、保護外装部を形成する誘電体層と同等厚みの誘電体層を介在させてコンデンサ主要部を複数層毎に区分け、それを積層チップ素体として焼成するようにしたことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
IPC (3件):
H01G 4/12 349
, H01G 4/12 364
, H01G 4/30 301
FI (3件):
H01G 4/12 349
, H01G 4/12 364
, H01G 4/30 301 A
Fターム (27件):
5E001AB03
, 5E001AC09
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AH01
, 5E001AH05
, 5E001AH06
, 5E001AH09
, 5E001AJ01
, 5E001AJ02
, 5E001AZ01
, 5E082AB03
, 5E082BC33
, 5E082EE04
, 5E082EE23
, 5E082EE35
, 5E082FG06
, 5E082FG26
, 5E082FG27
, 5E082FG54
, 5E082HH43
, 5E082KK01
, 5E082LL01
, 5E082LL02
, 5E082LL03
, 5E082MM22
, 5E082MM24
引用特許:
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