特許
J-GLOBAL ID:200903082343660903

電磁干渉抑制体

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-170427
公開番号(公開出願番号):特開2005-005641
出願日: 2003年06月16日
公開日(公表日): 2005年01月06日
要約:
【課題】工業的に適切な膜厚の高透磁率、高磁気共鳴周波数のフェライト薄膜を用いた電磁干渉抑制体を提供する。【解決手段】フェライトメッキによって作製された、膜厚が0.5μmより大きいフェライト薄膜を用いることによって高周波領域に対応した薄型の電磁干渉抑制体が得られる。また、前記フェライト薄膜の複素透磁率の実部μ’と磁気共鳴周波数frの積(μ’×fr)が30GHz以上である場合に優れた高周波特性を有する薄型の電磁干渉抑制体が得られる。また、上記電磁干渉抑制体はNi、Zn、Fe、Oを少なくとも含有し、更にCoを含有することにより、電磁干渉抑制効果がさらに向上する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
膜厚が0.5μmより大きいフェライト薄膜を用いたことを特徴とする電磁干渉抑制体。
IPC (2件):
H05K9/00 ,  C23C30/00
FI (2件):
H05K9/00 M ,  C23C30/00 C
Fターム (12件):
4K044AA06 ,  4K044AA13 ,  4K044AA16 ,  4K044BA12 ,  4K044BB01 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA15 ,  4K044CA18 ,  5E321BB23 ,  5E321BB51 ,  5E321GG11
引用特許:
審査官引用 (9件)
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