特許
J-GLOBAL ID：200903082345354133

強誘電体アクチュエータ素子およびその製造方法

発明者：
中谷 将也

中谷 将也 について

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小牧 一樹

小牧 一樹 について

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村嶋 祐二

村嶋 祐二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-242872
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060251
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 自由な方向に歪ませるためには、2つの強誘電体に対し、個別の電圧を印加する必要があり、電源が少なくとも2つ必要であるか、もしくはスイッチ素子などを利用して個別の強誘電体へ印加する電圧を分ける必要がある。これは、素子を高精度に制御する上で2つ以上の電源を同時に制御する必要があり、高度な制御を必要とする。【解決手段】 所定の電圧より低電圧条件の下では第一の強誘電体1の圧電特性であるd31定数は第二の強誘電体4のd31定数よりも高い値を示し、高電圧条件の下では第一の強誘電体1のd31定数より第二の強誘電体4のd31定数が低い値を示し、所定の電圧条件下では、第一および第二の強誘電体1,4のd31定数が同じ値となるものである。
請求項（抜粋）：
第一の強誘電体と第二の強誘電体とを有し、中間層の両面に上記第一および第二の強誘電体が、それぞれの自発分極の主なる方向が反対になるように張り合わされているバイモルフ型強誘電体アクチュエータ素子であって、所定の電圧より低電圧条件の下では第二の強誘電体の圧電特性であるd31定数は第一の強誘電体のd31定数よりも低い値を示し、高電圧条件の下では第一の強誘電体のd31定数より第二の強誘電体特性のd31定数が高い値を示し、前記所定の電圧条件下では、第一および第二の強誘電体のd31定数が同じ値となる強誘電体アクチュエータ素子。
IPC (3件)：
H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22
FI (3件)：
H01L 41/08 M ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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