特許

J-GLOBAL ID：200903082361742801

半導体レーザとその製造方法

発明者： 吉田 伊知朗
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-224130
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077584
出願日： 1992年08月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 熱特性が向上し、安定した波長の半導体レーザを提供する。【構成】 この半導体レーザは、電極板101上に、レーザ共振器が設けられたチップ110をボンディングし、チップ110の基板側に放熱体としてヒートパスワイア103を設けたものである。電極板101には電極102a,b,c,dが形成され、電極102a,bは、チップ110のレーザ共振器と電気的に接続されている。ヒートパスワイア103は、チップ110の基板と接触しており、放熱体として良好に機能するものが用いられている。電極102c,dと電気的に接続され、電極102a,bと電極102c,dとの間に電流を流すことでチップ110のレーザ共振器からレーザ光が出力される。

請求項（抜粋）：

レーザ共振器をその基板上に有するチップを、前記基板を上側にしてダイボンディングが行われる半導体レーザの製造方法であって、前記ダイボンディングの後に、前記チップを前記基板側から薄くする工程を有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。