特許
J-GLOBAL ID：200903082365465861
整流素子およびその駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262671
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107097
出願日： 1995年10月11日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】バイポーラ動作とユニポーラ動作とを切り換え可能な整流素子において、安定なユニポーラ動作をし、しかも製造の容易な構造とする。【解決手段】n層22の表面層に、pウェル23、nウェル24、pソース領域25を形成し、pチャネル型MOSFETを構成する。このMOSFETをオンさせてバイポーラ動作をさせ、オフさせたときはn層22の表面に形成したショットキー接合39により、ユニポーラ動作をさせる。整流素子のオフ期間より、一定時間前にユニポーラ動作に切り換えて置くことにより、逆回復電流を低減する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一部をなす第一導電型半導体層の一方の主面の表面層の一部に形成された第二導電型ウェルと、その第二導電型ウェルの表面層の一部に形成された第一導電型ウェルと、その第一導電型ウェル領域の表面層の一部に形成された高濃度の第二導電型ソース領域と、前記第二導電型ウェルと第二導電型ソース領域とに挟まれた第一導電型ウェルの表面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第一導電型ウェルと第二導電型ソース領域との表面に共通に接触して設けられた第一主電極と、前記第一導電型半導体層に接し半導体基板の一部をなす第一導電型領域の表面上にオーミック接触をする第二主電極とを有し、第二導電型ウェルが形成されていない第一導電型半導体層の前記主面部分に第一主電極がショットキー接合を形成して接触することを特徴とする整流素子。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/872
, H01L 29/68
H01L 29/78 655 A
, H01L 29/68
, H01L 29/48 Z
, H01L 29/78 654 Z
