特許

J-GLOBAL ID：200903082365761606

プラズマ処理装置およびアッシング方法

発明者： 渡邊 玲子 ,  青木 克明 ,  小島 可容子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059252
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256235
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 反応性イオンによる処理およびマイクロ波ダウンフローによる処理を同一のチャンバで連続して行えるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】 チャンバ21内に搬入した被処理物24をプラズマ処理するプラズマ処理装置20において、上記チャンバ21内部に処理ガスを導入するガス導入手段23と、上記ガス導入手段23により導入された処理ガスに高周波を印加してイオン化する高周波印加手段と、上記チャンバ21内部に導入された処理ガスにマイクロ波を印加してイオン化するマイクロ波印加手段と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置である。

請求項（抜粋）：

チャンバ内に搬入した被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、上記チャンバ内部に処理ガスを導入するガス導入手段と、上記ガス導入手段により導入された処理ガスに高周波を印加してイオン化する高周波印加手段と、上記チャンバ内部に導入された処理ガスにマイクロ波を印加してイオン化するマイクロ波印加手段と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/42 ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/30 572 A