半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016025
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216359
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】キャパシタ電極としてSrRuO3からなる電極(SRO膜)を用いた場合におけるリーク電極の増加を抑制すること。【解決手段】下部キャパシタ電極としての非晶質SRO膜14、キャパシタ絶縁膜としてBa(X)Sr(1-X)TiO(3)からなる多結晶BST膜16、上部キャパシタ電極としての非晶質SRO膜17を連続的に形成した後、熱処理により非晶質SRO膜14,17を一括して結晶化する事により、下部キャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜との界面を平担にする。

請求項（抜粋）：

下部キャパシタ電極、キャパシタ絶縁膜、上部キャパシタ電極が順次積層されてなるキャパシタを有する半導体装置の製造方法であって、基板上に前記下部キャパシタ電極としての非晶質金属酸化物膜を形成する工程と、この第1非晶質金属酸化物膜上に前記キャパシタ絶縁膜としての金属酸化物膜を形成する工程と、前記非晶質金属酸化物膜を熱処理により結晶化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 625 C

Fターム (19件)：

5F038AC05 , 5F038AC09 , 5F038AC15 , 5F038EZ14 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR21 , 5F083PR33

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