特許

J-GLOBAL ID：200903082368362745

半導体装置の製造方法

発明者： 楠川 喜久雄 ,  本間 喜夫 ,  森山 茂夫 ,  長澤 正幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268586
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122557
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【構成】 基板1上の熱酸化膜2上に第1の配線層3、絶縁膜4を形成し、基板1の裏面を研磨してから前記絶縁膜4を研磨する。その後、絶縁膜4に接続孔5を設け、接続孔5及び絶縁膜4上に第2の配線層6を形成する。【効果】 配線のショートや断線のない半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に所望の形状を有する第1の配線層を形成する工程と、前記基板上に前記第1の配線層を覆って、前記配線層の形成されていない箇所における厚さが前記第1の配線層の厚さよりも厚い絶縁膜を形成する工程と、前記基板の前記第1の配線層を形成した面と反対の面を研磨する工程と、前記絶縁膜の表面を研磨する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/316