特許
J-GLOBAL ID：200903082369322984
SOI基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-274177
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107092
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 従来技術に比し、取り加工後の活性基板の残留層の厚さを薄く且つばらつきを少なく研削し、V溝の発生をなくと共に、短時間で製造することができるSOI基板の製造方法を提供する。【構成】 支持基板2と活性基板3を貼り合わせて貼合せウェハ4を得る。ダイシングマシンに研削砥石1を設ける。貼合せウェハ4を水平方向に回転させると共に、研削砥石1を活性基板3に対し垂直に回転させる。貼合せウェハ4の外周部の上面に研削砥石1を上方から接触させる。残留層11aを残し活性基板3の外周部を研削する。
請求項（抜粋）：
支持基板として機能する半導体ウェハと、活性基板として機能する半導体ウェハを貼り合わせてSOI基板を製造するに当たり、活性基板の外周部を面取りする方法において、貼り合わせた半導体ウェハを水平方向に回転させると共に、これに対し略垂直方向に回転する研削砥石を前記活性基板の上方から接触させて研削するようにしたことを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 301
, H01L 27/12
