近磁界プローブ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：樺山亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084136
公開番号（公開出願番号）：特開平11-281720
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】ループコイルでピックアップされた誘起起電力を効率よく測定器に伝送することができ、感度の高い近磁界プローブを提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、導電性薄膜で形成されるループコイル1を有する近磁界プローブにおいて、少なくとも上記ループコイル1が誘起起電力を伝送する引き出し線2及び測定系とインピーダンス整合が取れていることを特徴とし、さらには、上記ループコイル1と引き出し線2のインピーダンスが33〜75Ωに整合されていることを特徴とする。本発明によれば、ループコイルが誘起起電力を伝送する引き出し線及び測定系とインピーダンス整合が取れていることにより、ループコイルに誘起される起電力を反射を抑えて測定系に伝送することができ、伝送損失の少ない、感度の高い近磁界プローブを提供できる。

請求項（抜粋）：

導電性薄膜で形成されるループコイルを有する近磁界プローブにおいて、少なくとも上記ループコイルが誘起起電力を伝送する引き出し線及び測定系とインピーダンス整合が取れていることを特徴とする近磁界プローブ。

IPC (3件)：

G01R 33/02 , G01R 29/08 , G01R 33/10

FI (3件)：

G01R 33/02 B , G01R 29/08 F , G01R 33/10

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