特許
J-GLOBAL ID：200903082370157911
薄膜積層結晶体およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯村 雅俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052264
公開番号（公開出願番号）：特開平5-254991
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】【目的】 サファイア単結晶やシリコン単結晶などの基板上に形成される酸化亜鉛薄膜などの六方晶系薄膜の配向性および結晶性を向上させる。【構成】 サファイア単結晶などの基板上に酸化亜鉛などの六方晶系の薄膜を形成してなる薄膜積層結晶体およびその製造方法において、基板と薄膜との間に、これら基板と薄膜のそれぞれの格子定数の中間の格子定数を有するCr2O3やTi2O3などのコランダム型構造酸化物を形成し、この酸化物層により、酸化亜鉛膜と基板間の結晶格子の不整合性を緩和し、酸化亜鉛薄膜の配向性、および、結晶性を向上する薄膜積層結晶体およびその製造方法。
請求項（抜粋）：
単結晶の基板上に六方晶系薄膜を形成してなる薄膜積層結晶体において、上記基板と六方晶系薄膜との間に、該基板と六方晶系薄膜のそれぞれの格子定数の中間の格子定数を有するコランダム型構造酸化物を形成してなることを特徴とする薄膜積層結晶体。
IPC (2件)：
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