特許

J-GLOBAL ID：200903082376718567

半導体装置およびその製造方法

発明者： 大野 圭一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-021440
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218080
出願日： 1992年02月06日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】0.4μm以下の短チャネル長をもつMOSトランジスター、あるいは0.4μm以下の配線幅をもつ半導体装置を製造する。【構成】MOSトランジスターを有する半導体装置の製造方法において、フォトリソグラフィーを用いて半導体基板上に所定の領域を除いて第1の不純物を含んだ第1の中間膜4aを形成する工程と、上記第1の中間膜4a上に第2の中間膜5aを形成する工程と、上記半導体基板の全面上方に絶縁膜6を形成する工程と、上記絶縁膜を全面エッチバックし上記所定の領域の一部の領域にサイドウォール7を形成することにより、上記所定の領域よりも狭いゲート領域を形成する工程と、上記半導体基板全面に第2の不純物を注入する工程と、上記半導体基板を熱酸化する工程と、上記ゲート上に電極を形成する工程を含む。

請求項（抜粋）：

MOSトランジスターを有する半導体装置において、半導体基板内に第1の不純物でソース領域およびドレイン領域が形成され、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間には、第2の不純物でチャネル領域が形成され、前記チャネル領域上にゲート酸化膜が形成され、前記ゲート酸化膜の両側にサイドウォールが形成され、前記ゲート酸化膜および前記サイドウォール上にゲート電極が形成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 301 H