特許

J-GLOBAL ID：200903082379680730

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 知野 豊治 ,  松田 賢一 ,  木戸口 勲
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-191679
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045985
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】 面発光レーザのメサをAlNで埋め込み放熱性を向上させる。【構成】 n-GaAs基板100上に、p-GaAsバッファ層101、p型ブラッグ反射器102、活性層103、n型ブラッグ反射器104、キャップ層105を積層している。エアポスト107は、AlN層108により埋め込まれている。このように構成することにより、エアポストの周囲が空気である場合や半導体でエアポスト107が埋め込まれる場合に比べて活性層103の熱を高効率で放熱することができる。従って、エアポスト107自体が直接外気により冷却される場合やエアポスト107が半導体埋め込み層を通じて冷却される場合に比べ、一桁あるいは二桁以上、活性層103の冷却効率が高まる。これにより、発振しきい値の上昇、活性層温度上昇に伴う発振波長の変化が抑制され、最高連続発振温度の向上、最高光出力の向上が得られる。

請求項（抜粋）：

AlNを主成分とする層を埋め込み層に用いたことを特徴とする面発光型半導体レーザ。