特許
J-GLOBAL ID:200903082379835238

ガス電極構造体及び該ガス電極構造体を使用する電解方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森 浩之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-352632
公開番号(公開出願番号):特開平6-173061
出願日: 1992年12月10日
公開日(公表日): 1994年06月21日
要約:
【要約】【目的】 従来のガス電極では電解液が電極触媒に浸透し、電極触媒の劣化を起こしやすかった。本発明はガス電極の特性である電解電圧の低減効果を維持したまま電極触媒の劣化を抑制し長期間機能を維持できるガス電極構造体及び該構造体を使用する電解方法を提供することを目的とする。【構成】 ガス電極5の基体として、導電性炭素薄層10の電解液室6側に導電性で実質的に液不透過性のイオン交換膜基体9を設置する。このイオン交換膜基体9は電解液の浸透を抑制し電極触媒に到達する必要がある電解質のみを透過させるため電解反応に悪影響を及ぼすことなく電解液やその中に含有される不純物による電極触媒の劣化を防止する。
請求項(抜粋):
イオン交換膜基体、該イオン交換膜基体の片面に形成された白金族金属又はその酸化物を電極触媒として担持させた導電性炭素薄層、及び該薄層の前記イオン交換膜金属との反対面に密着して配置された多孔性集電体を含んで成ることを特徴とするガス電極構造体。
IPC (3件):
C25B 11/20 ,  C25B 1/16 ,  C25B 11/08
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 特開昭61-130497
  • 特開昭59-043889
  • 特開昭59-133386
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審査官引用 (4件)
  • 特開昭61-130497
  • 特開昭59-043889
  • 特開昭59-133386
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