特許

J-GLOBAL ID：200903082388103002

半導体レーザ素子および光情報記録装置

発明者： 軸谷 直人 ,  高橋 孝志
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320009
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134834
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 CODをレベル向上させ、長期信頼性の高い窓構造を有した赤色レーザ素子による半導体レーザ素子を得る。【解決手段】 クラッド層がGaAsとGaPの間の格子定数を有しており、共振器端面にGaInAsP材料よりなる窓層が設けられている。GaAsとGaPの間の格子定数では、GaInPは格子定数の減少に伴って発光波長650nmよりも短波となるので、赤色レーザ素子の窓層として用いることができる。また、組成にAlを含まないのでAlに起因した表面準位、結晶中の深い準位による光吸収非発光再結合、端面腐食がない。GaInAsP材料による窓層を設けたことにより、端面での光吸収が低減し、CODレベルが飛躍的に向上した。また、窓層は材料にAlを含まないので、これによる結晶中の深い準位等の光吸収や、非発光再結合電流による影響がなく、AlGaInP等の半導体材料を窓層とした場合に比べ更に高出力が得られる。

請求項（抜粋）：

クラッド層の格子定数がGaAsとGaPの間の値を有した半導体発光素子において、共振器端面近傍の少なくとも光出射部分が、発振準位間のエネルギーよりも禁則帯幅の広いGa<SB>x1</SB>In<SB>1-x1</SB>As<SB>y1</SB>P<SB>1-y1</SB>(0<x1≦1,0≦y1<1 )半導体材料によって構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (4件)：

H01S 5/16 ,  G11B 7/125 ,  H01S 5/028 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01S 5/16 ,  G11B 7/125 A ,  H01S 5/028 ,  H01S 5/343

Fターム (21件)：

5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA17 ,  5D119FA18 ,  5D119FA20 ,  5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA87 ,  5F073AA88 ,  5F073BA04 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB20 ,  5F073DA16 ,  5F073EA28