特許

J-GLOBAL ID：200903082392616383

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者： 岡村 竜次 ,  村山 仁 ,  秋山 和敬 ,  高田 和彦 ,  白砂 寿康 ,  青池 達行
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066703
公開番号（公開出願番号）：特開平11-319546
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
要約：

【要約】【目的】 優れた特性を有する機能性堆積膜を高タクトで効率よく形成し、高品質の光受容部材の量産を可能にする堆積膜形成方法に代表されるプラズマ処理方法を提供する。【構成】 減圧可能な反応容器に高周波電力を印加する電極と、原料ガス導入手段と基体加熱制御手段を配置し、投入ステージにて前記反応容器内に基体を設置し反応容器内を排気した後、前記反応容器を投入ステージから切り離しプラズマ処理ステージに接合させた後にプラズマ処理を行う方法であって、反応容器は、少なくともレール上を移動しプラズマ処理ステージに接合し、高周波電力供給系、原料ガス供給系および排気系が反応容器に接合され、前記反応容器内に高周波プラズマが形成される。

請求項（抜粋）：

減圧可能な反応容器内に投入ステージにて基体を設置し反応容器内を排気した後、前記反応容器を投入ステージから切り離し処理ステージに接合させた後に前記基体上にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、前記反応容器は、軌道上を移動し処理ステージに接合し、高周波電力供給系、処理ガス供給系および排気系が前記反応容器に接合され、前記反応容器内にプラズマを形成し前記基体上にプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5件)：

B01J 19/08 ,  C23C 16/50 ,  G03G 5/08 301 ,  H01L 31/12 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

B01J 19/08 H ,  C23C 16/50 B ,  G03G 5/08 301 ,  H01L 31/12 B ,  H05H 1/46 B