特許
J-GLOBAL ID:200903082392660439

フォトレジストパターン形成方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-021316
公開番号(公開出願番号):特開平11-219883
出願日: 1998年02月02日
公開日(公表日): 1999年08月10日
要約:
【要約】【課題】 測定者の工数を削減し、測定時間を短縮し、測定データ処理時間を短縮することができるフォトレジストパターン形成方法及び装置を提供する。【解決手段】 縮小投影露光装置11は、ウエハ面上に塗布されたフォトレジスト膜へマスクパターンを転写し露光処理時の露光ショット毎の露光量及びフォーカスオフセットからなる処理条件を寸法測定制御装置12に転送する。寸法測定器13は、寸法測定制御装置12に寸法測定条件を要求し寸法測定制御装置12から寸法測定条件の転送を受けて前記寸法測定条件に基づいてパターン寸法を測定し、寸法測定結果を寸法測定制御装置12に転送する。寸法測定制御装置12は、露光時の処理条件と、寸法測定結果との相関データを作成する。
請求項(抜粋):
ウエハ面上に塗布されたフォトレジスト膜へマスクパターンの転写を行う縮小投影露光装置の露光処理時の露光ショット毎の露光量及びフォーカスオフセットからなる処理条件をデータとして保持する工程と、前記データに基づき現像処理後のパターン形成部の寸法測定位置を決定する工程と、前記測定位置に基づき指定パターンの寸法を測定する工程と、露光時の処理条件と前記寸法測定結果との相関データ処理を実施する工程とを有することを特徴とするフォトレジストパターン形成方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00
FI (3件):
H01L 21/30 516 D ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H

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