窒化アルミニューム面を有するサセプタをサセプタの浄化後珪化タングステンで処理することによって半導体ウエハ上に珪化タングステンを一様に堆積する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146631
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176484
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】チャンバ浄化後の半導体ウエハへの堆積において、質の良い珪化タングステン層を得る。【構成】真空チャンバ内のサセプタに搭載された半導体ウエハの集積回路構造上に珪化タングステン層を堆積する方法が開示されている。ここで、珪化タングステン層は、少なくとも摂氏500度の温度で適用され、又サセプタは窒化アルミニューム表面を有する。チャンバが1以上のフッ素含有エッチャントガスで浄化された後、その改良された方法では、フッ素含有エッチャントガスでの浄化後サセプタに搭載されたウエハに珪化タングステンを最初に堆積するに先立って、サセプタの表面上に珪化タングステンを堆積する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内のサセプタ上に搭載された半導体ウエハの集積回路構造上に珪化タングステン(tungsten silicide)層を、前記チャンバが1以上のフッ素含有エッチャントガス(fluluorine-containing etchant gases)をもって浄化された後に、形成する方法において、前記フッ素含有エッチャントガスによる前記浄化の後に、前記サセプタ上に搭載されたウエハ上に珪化タングステンを最初に(initial)堆積するに先立って、前記サセプタ上に珪化タングステンの層を堆積する工程を含むことを特徴とする方法。

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平3-120368
特開昭63-129628
特開昭63-140085

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