特許

J-GLOBAL ID：200903082397502807

外観検査方法および装置ならびに半導体装置の製造方法

発明者： 原田 保弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011658
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216208
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハの外観検査おいてパーティクルとCOP(擬似パーティクル)の弁別を高スループットにて実現する。【解決手段】 ウェハ1に、複数の測定用レーザ3および4を、COPおよびパーティクルの各々に対して検出感度(反射/散乱光A、Bの発生光量)の異なる入射角度θ1(パーティクルおよびCOPの双方を検出)および入射角度θ2(パーティクルのみ検出)で交互にパルス状に照射しつつ走査し、光検出器15および判定部12では、各々の検出結果の組み合わせから、測定用レーザ3および4の双方で検出された欠陥はパーティクルと判定し、測定用レーザ3では検出され測定用レーザ4では不検出の欠陥はCOPと判定することで、検出欠陥が、付着異物等のパーティクルか、ウェハ1の表面に形成されたピット等のCOPかを、1回の走査で弁別しつつ外観検査を行う。

請求項（抜粋）：

対象物の表面に対して少なくとも二つの第1および第2のレーザを照射した時に当該対象物の当該第1および第2のレーザの各々の照射部位から発生する散乱光の光量の大小を検出することで、前記対象物の表面に存在する欠陥の種別を弁別することを特徴とする外観検査方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/88

FI (2件)：

H01L 21/66 J ,  G01N 21/88 645 A

Fターム (28件)：

2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051AB02 ,  2G051AB07 ,  2G051BA01 ,  2G051BA08 ,  2G051BA10 ,  2G051CA02 ,  2G051CB01 ,  2G051CB05 ,  2G051CC07 ,  2G051DA07 ,  2G051EA14 ,  2G051EB01 ,  2G051EB02 ,  2G051EC01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA19 ,  4M106CA41 ,  4M106CB19 ,  4M106DB03 ,  4M106DB08 ,  4M106DB09 ,  4M106DB15 ,  4M106DB21 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20