特許
J-GLOBAL ID：200903082404226012
基板の露光方法および基板処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235935
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079681
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】フォーカスおよび露光量の最適値が比較的簡単にかつ速やかに、高い客観性をもって求められ、露光工程における生産性および信頼度を高めることができる方法を提供する。【解決手段】レジスト膜が被着形成された基板の表面の異なる位置を同一パターンにより2つの異なる露光量でかつ各露光量において露光焦点を種々変えて逐次露光する工程と、露光後の基板を現像する工程と、現像後の基板表面のレジスト膜における各位置のパターン線幅を測定する工程と、この測定結果から、各露光焦点での、露光量に対するパターン線幅の変化率を算出する工程と、この算出結果から、露光量に対するパターン線幅の変化率が最小となるときの露光焦点を求める工程と、その露光焦点での、露光量とパターン線幅との比例関係から、所望のパターン線幅が得られるときの露光量を求める工程とを備える。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
レジスト膜が被着形成された基板の表面の異なる位置を同一パターンにより、少なくとも2つの異なる露光量でかつそれぞれの露光量において露光焦点を種々変えて逐次露光する露光工程と、
露光後の基板を現像する現像工程と、
現像後の基板の表面のレジスト膜における各位置のパターン線幅をそれぞれ測定する線幅測定工程と、
この線幅測定工程で得られた結果から、各露光焦点での、露光量に対するパターン線幅の変化率をそれぞれ算出する演算工程と、
この演算工程で得られた結果から、露光量に対するパターン線幅の変化率が最小となるときの露光焦点を求める露光焦点決定工程と、
この露光焦点決定工程で求められた露光焦点での、前記線幅測定工程で得られた結果から求まる露光量とパターン線幅との比例関係から、所望のパターン線幅が得られるときの露光量を求める露光量決定工程と、
を経た後、前記露光焦点決定工程で求められた露光焦点および前記露光量決定工程で求められた露光量により以後の基板の露光を行うことを特徴とする基板の露光方法。
IPC (3件)：
H01L21/027
, G01B21/02
, G03F7/20
H01L21/30 516D
, G01B21/02 Z
, G03F7/20 521
2F069AA49
, 2F069BB15
, 2F069CC07
, 2F069DD15
, 2F069DD25
, 2F069NN05
, 2F069NN09
, 2F069NN16
, 5F046AA28
, 5F046BA04
, 5F046DA02
, 5F046DA14
, 5F046DB05
