特許

J-GLOBAL ID：200903082406492399

高出力半導体レーザ素子

発明者： 早川 利郎
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050767
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244577
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子において、高信頼性を得ることができる最大光出力を増大させる。【解決手段】 それぞれ、p型,n型クラッド層6,4;13,11に挟まれた活性層5,12が、p+n+接合7,8のトンネル接合を介して基板1上に積層されており、活性領域の幅(発光幅)W1 はリッジストライプ構造により制限され、W1 =10μm〜80μmとする。活性層5,12間の距離をh1 としたとき、素子幅は(W1+2h1 )以上とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの活性層と該活性層を挟むp型およびn型のクラッド層とから成るレーザ構造が複数、p+n+接合のトンネル接合を介して基板上に積層されており、前記複数のレーザ構造の各活性領域の幅が10μm以上かつ80μm以下であり、前記複数のレーザ構造のうち最も幅広の活性領域幅をW、前記複数のレーザ構造のうち互いに最も離れた活性層間の距離をhとしたとき、h≦W、かつ、素子幅が(W+2h)以上であることを特徴とする高出力半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S 5/40 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343

FI (3件)：

H01S 5/40 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343

Fターム (16件)：

5F073AA04 ,  5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA46 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA73 ,  5F073CA05 ,  5F073CA13 ,  5F073CB07 ,  5F073CB08 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA24 ,  5F073FA14