特許
J-GLOBAL ID：200903082406841636
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145133
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343314
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 露光時のハレーションを抑えてパターン形状を改善し、良好なパターニングを達成する。【構成】 多結晶シリコン層(被エッチング層)5を露光時に露光光の反射が最も小さくなる膜厚に形成し、レジスト6のパターン形状を良好にし、このレジストをマスクとして多結晶シリコン層5をエッチングし、レジスト剥離後に、薄膜化(多結晶シリコン層のみ選択的にエッチング)して、所望の膜厚(デバイス特性に適当な)とする。これにより、ハレーションを抑え、パターン形状を良好にすることが可能となる。
請求項（抜粋）：
露光光に対して透明性又は半透明性を有する下地層上にレジストを塗布し、該レジストをパターニングした後、該レジストをマスクとして前記下地層をパターニングするパターン形成方法において、前記下地層を、露光時の露光光の反射が最も小さくなる膜厚に形成する工程と、前記下地層にレジストを塗布した後、該レジストをパターニングする工程と、前記レジストをマスクとして前記下地層をパターニングする工程と、前記レジストを除去後前記下地層を所望の膜厚となるように加工する工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
