特許
J-GLOBAL ID：200903082409735489
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-111866
公開番号（公開出願番号）：特開平8-212774
出願日： 1995年05月10日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 安定かつ高速で動作するデータ入出力バッファを実現するための大容量半導体記憶装置のためのパッドレイアウトを提供する。【構成】 メモリブロックMB1およびMB3とメモリブロックMB2およびMB4の間の中央領域にメモリブロックMB1〜MB4それぞれに対応しかつ対応のメモリブロック近傍にデータ入出力パッド部3a,3b,3c,3dがそれぞれ配置される。中央領域両端部に電源パッド5および6が配置され、電源パッド5はデータ入出力パッド部3cおよび3dへ電源電圧を伝達し電源パッド部6はデータ入出力パッド部3aおよび3b電源電圧を伝達する。中央領域の中央部に周辺回路のための電源パッド7が配置される。
請求項（抜粋）：
第1の方向に沿った中央領域の両側に前記第1の方向に沿って整列して配置される複数のメモリブロックと、前記複数のメモリブロック各々に対応してかつ対応のメモリブロックに近接して前記中央領域内に配置され、各々が対応のメモリブロックとデータの授受を行なう複数のデータ入出力バッファと、前記中央領域の前記第1の方向に沿った中央部近傍に配置され、前記複数のメモリブロックへのアクセスを行なうための外部信号を受ける複数のバッファとを備え、前記複数のデータ入出力バッファは前記中央部近傍を除く領域に配置される、半導体記憶装置。
引用特許：
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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