特許
J-GLOBAL ID：200903082411776346
高密度YIG多結晶フェライトの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093805
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279106
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】酸素欠損による格子欠陥の少ない高密度YIG多結晶フェライトを提供する。【構成】YIGフェライト原料組成物を1〜10気圧で酸素濃度40〜60%の雰囲気下において仮焼する工程と、この仮焼物を用いた成型体を酸素分圧が酸素濃度で10%以上及び1200°C以上の雰囲気で焼成する工程を有する高密度YIG多結晶フェライトの製造方法。【効果】高密度YIG多結晶フェライトを提供できるので、高周波帯域におけるアイソレータやサーキュレータといった非可逆線路用デバイスに用いると、挿入損失を低減することができる。
請求項（抜粋）：
酸化第二鉄、酸化イットリウムを含有するYIGフェライト原料組成物を1〜10気圧で酸素濃度40%以上の雰囲気において仮焼する仮焼工程と、該仮焼工程で得られた仮焼物を用いて得られた成型体を酸素分圧が酸素濃度で10%以上となる雰囲気下において1200°C以上で焼成する焼成工程を有する高密度YIG多結晶フェライトの製造方法。
IPC (3件)：
C04B 35/40
, C01G 49/00
, H01F 1/34
