特許

J-GLOBAL ID：200903082412668270

シリコンウェーハのエッチング方法

発明者： ミリンド・エス・クルカーニ ,  ヘンリー・エフ・アーク ,  ジュディス・シュミット
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山田 卓二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-507418
公開番号（公開出願番号）：特表2004-503081
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

本発明は、水性エッチング溶液、所与量の基部を除去するとともに、所望の表面品質を確保する溶液の組成を調製する方法、およびこの溶液を用いてシリコンウェーハをエッチングする方法に関する。

請求項（抜粋）：

エッチング環境におけるシリコンウェーハのエッチング方法であって、 エッチングされるウェーハ表面の所望の表面品質と、エッチングプロセス中にウェーハ表面から除去される所望のシリコン量とを設定するステップと、 エッチング環境において、所望のシリコン量がウェーハ表面から除去されたとき、エッチングされたウェーハ表面が所望の表面品質を有するようにウェーハをエッチングする、フッ酸と酸化剤を含む水性エッチング溶液のフッ酸濃度を特定するステップと、 ウェーハ表面から所望のシリコン量を除去するために十分な時間、シリコンウェーハの表面をエッチング環境における水性エッチング溶液に接触させるステップとを有することを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L21/306 ,  C09K13/08 ,  C30B29/06 ,  C30B33/10

FI (4件)：

H01L21/306 B ,  C09K13/08 ,  C30B29/06 B ,  C30B33/10

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FG05 ,  4G077FG06 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD10 ,  5F043GG10