特許

J-GLOBAL ID：200903082415961008

微細パターンの形成方法およびフォトマスク

発明者： 山下 一博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-070271
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267197
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】光近接効果による生ずる露光像の仕上がりの大きさの不揃いの是正。【構成】フォトレジスト膜に実施する露光工程を多重露光工程とする。多重露光工程を構成する一方の露光工程における露光条件を、パターン離間間隔が広いほどその露光像が拡大するように設定する。他方の露光工程における露光条件を、パターン離間間隔が広いほどその露光像が縮小するように設定する。

請求項（抜粋）：

フォトマスクに形成されたマスクパターンを縮小投影露光装置によりフォトレジスト膜に露光したのち現像することで前記フォトレジスト膜に前記マスクパターンに対応した微細パターンを形成する微細パターンの形成方法であって、前記フォトレジスト膜に実施する露光工程を多重露光工程とし、かつ、多重露光工程を構成する一方の露光工程における露光条件を、パターン離間間隔が広いほどその露光像が拡大するように設定し、他方の露光工程における露光条件を、パターン離間間隔が広いほどその露光像が縮小するように設定することを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (6件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 D ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 515 F

Fターム (9件)：

2H095BA02 ,  2H095BA07 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  5F046AA13 ,  5F046BA04 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02