特許

J-GLOBAL ID：200903082417575822

真空内でダイヤモンド質のカーボン薄膜を成膜する方法

発明者： ゴンチャレンコ,ワレリー,パヴロヴィチ ,  コルパコフ,アレックサンダー,ヤコヴレヴィチ ,  マスロフ,アナトリー イワノヴィチ
出願人/特許権者： パティノール アーエス
代理人 (1件)： 木村 進一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-500540
公開番号（公開出願番号）：特表2002-501575
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：

【要約】被処理体の表面を前処理した後、真空室において加速イオンにより処理し、その処理表面に副膜層を形成し、陰極点からグラファイト陰極にアーク真空スパッタリングを施してカーボンプラズマを生成し、カーボンプラズマのイオンを加速してカーボンプラズマを被処理体表面に堆積させることによりダイヤモンド質のカーボン薄膜を形成する真空中でダイヤモンド質のカーボン薄膜を成膜する方法において、カーボンプラズマを生成し、加速し、堆積するために、パルスアーク放電によって複数の陰極点をグラファイト陰極の端部表面で励起して陰極点を陰極の端部表面に沿って10乃至30m/sの速度で移動させ、被処理体を真空室において電気的に絶縁した状態で、40乃至100eVのイオンエネルギーと、1012乃至1014cm-3のプラズマ中のイオン濃度とをもったカーボンプラズマを発生し、放電のパルス反復周波数を制御することにより被処理体の温度を200乃至450Kの範囲に維持することを特徴としたカーボン薄膜の成膜方法。

請求項（抜粋）：

被処理体の表面を前処理した後、真空室において加速イオンにより処理し、その処理表面に副膜層を形成し、陰極点からグラファイト陰極にアーク真空スパッタリングを施してカーボンプラズマを生成し、カーボンプラズマのイオンを加速してカーボンプラズマを被処理体表面に堆積させることによりダイヤモンド質のカーボン薄膜を形成する真空中でダイヤモンド質のカーボン薄膜を成膜する方法において、カーボンプラズマを生成し、加速し、堆積するために、パルスアーク放電によって複数の陰極点をグラファイト陰極の端部表面で励起して陰極点を陰極の端部表面に沿って10乃至30m/sの速度で移動させ、被処理体を真空室において電気的に絶縁した状態で、40乃至100eVのイオンエネルギーと、1012乃至1014cm-3のプラズマ中のイオン濃度とをもったカーボンプラズマを発生し、放電のパルス反復周波数を制御することにより被処理体の温度を200乃至450Kの範囲に維持することを特徴としたカーボン薄膜の成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/22 ,  C23C 14/32

FI (3件)：

C23C 14/06 F ,  C23C 14/22 Z ,  C23C 14/32 B