特許
J-GLOBAL ID：200903082419142494
酸素析出物核形成中心の制御された分布を有するシリコンウエハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-513316
公開番号（公開出願番号）：特表2001-517871
出願日： 1998年09月02日
公開日（公表日）： 2001年10月09日
要約：
【要約】酸素析出物核形成中心の不均一分布を有するシリコンウエハの製造方法。ウエハの厚みを横断する温度勾配を形成するようにウエハを所定時間で加熱することによって、酸素析出物核形成中心の制御分布を有するシリコンウエハを製造する。後の酸素析出熱処理の際に、約900°Cを越える温度に急速に加熱したウエハの領域は、デニューデッドゾーンを形成し、一方、急速加熱の間に約900°Cを越える温度に到達しなかったウエハの領域は、酸素析出物を形成する。
請求項（抜粋）：
酸素析出物核形成中心の不均一分布を有するシリコンウエハの製造方法であって、 該ウエハが前表面および後表面を有し、該方法が、シリコンウエハの前表面を少なくとも約950°Cの温度に加熱し、一方、シリコンウエハの後表面を900°C未満の温度に維持して、ウエハの厚みを横断する温度勾配を形成することを含んで成る方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/322 Y
, C30B 29/06 B
