特許
J-GLOBAL ID：200903082420403781
成形型
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-068697
公開番号（公開出願番号）：特開2003-266441
出願日： 2002年03月13日
公開日（公表日）： 2003年09月24日
要約：
【要約】【課題】 離型性に優れた成形型を提供すること。【解決手段】 成形型の表面をTOF-SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析計)で正イオン分析を行った結果が次の(1)〜(3)の条件を満たすことを特徴とする成形型。(1)全正イオンの検出強度の合計を1と(正規化)したときに、CF3+フラグメントイオンの検出強度が0.05以上であること(2)CF3+フラグメントイオンの検出強度を1と(正規化)したときに、C2F5+フラグメントイオンおよびC3F7+フラグメントイオンの少なくとも一方の検出強度が0.1以上であること(3)CF3+フラグメントイオンの検出強度を1と(正規化)したときに、CFO+フラグメントイオンの検出強度が0.1以上であること
請求項（抜粋）：
成形型の表面をTOF-SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析計)で正イオン分析を行った結果が次の(1)〜(3)の条件を満たすことを特徴とする成形型。(1)全正イオンの検出強度の合計を1と(正規化)したときに、CF3+フラグメントイオンの検出強度が0.05以上であること(2)CF3+フラグメントイオンの検出強度を1と(正規化)したときに、C2F5+フラグメントイオンおよびC3F7+フラグメントイオンの少なくとも一方の検出強度が0.1以上であること(3)CF3+フラグメントイオンの検出強度を1と(正規化)したときに、CFO+フラグメントイオンの検出強度が0.1以上であること
IPC (3件)：
B29C 33/38
, B29C 39/26
, B29K101:10
B29C 33/38
, B29C 39/26
, B29K101:10
4F202AA36
, 4F202AG01
, 4F202AH33
, 4F202AJ02
, 4F202AJ06
, 4F202CA01
, 4F202CA30
, 4F202CB01
, 4F202CD01
, 4F202CD25
