特許

J-GLOBAL ID：200903082425786921

半導体基板表面の定量汚染方法及びその定量汚染装置

発明者： 田中 傑 ,  白水 好美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-303196
公開番号（公開出願番号）：特開平11-142389
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板表面を均一に、かつ定量的に汚染することができる半導体基板表面の定量汚染方法及びその定量汚染装置を提供する。【解決手段】 汚染される半導体基板10を真空チャック2により吸引して固定する。次に、600rpmの回転数で支持柱3を回転させ、一定濃度に調整されたCu、Pt及びAu等の金属不純物を含有する汚染溶液8を汚染溶液噴射ノズル4からCO2ガス等を利用して半導体基板10の表面に噴射する。このとき、窒素等を含有する還元力を有する還元性薬液9を還元性噴射ノズル6から半導体基板10表面に噴射することにより、半導体基板10表面の自然酸化膜の生成を抑制し、汚染濃度を調整する。その後、3000rpmの回転数で支持柱3を回転させて半導体基板10を乾燥する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に金属不純物を含有する溶液を噴射する溶液噴射工程と、酸化力を有する酸化性薬液及び還元力を有する還元性薬液から選択された1種の薬液を前記半導体基板表面に噴射する薬液噴射工程とを有することを特徴とする半導体基板表面の定量汚染方法。

IPC (3件)：

G01N 33/00 ,  G01N 1/00 102 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01N 33/00 A ,  G01N 1/00 102 B ,  H01L 21/66 L